Преимуществa
1) Благодаря очень высокому входному сопротивлению, расходуется мало энергии.
2) Выше помехоустойчивость и надежность работы.
3) Усиление п о току намного выше, чем у биполярных.
4) Могут работать на более высоких частотах, чем биполярные.
Недостатки
1) Структура начинает разрушаться при 150С, чем структура биполярных транзисторов (200С).
2) На частотах выше 1.5 GHz, потребление энергии у транзисторов начинает возрастать, поэтому и скорость процессоров перестала стремительно расти.
1.Формула для нахождения сопротивления:
R = pl / s
R-сопротивление, p - удельное сопротивление, l - длина проводника, s - площадь поперечного сечения
2.Формула для нахождения мощности
P = IU
P = I^2 * R
P = U^2 / R
P - мощность
3. Формула для нахождения работы тока
A = Pt
A = IUt
A = I^2 * R * t
A = U^2 * t / R
A - работа тока, t - время
4. U = A / q
q - электрический заряд
5. I = q / t
6. Закон Кулона
F = k * q1 * q2 / R^2
F - сила взаимодействия зарядов, R - расстояние между зарядами, k - коэффициент пропорциональности
7. Закон Джоуля-Ленца
Q = A
Q - количество теплоты
В момент столкновения пули со стеклом она, оказывая давление на стекло, вызывает его деформацию. Но время столкновения очень мало, и деформация не успевает распространиться на большие расстояния. Поэтому импульс, теряемый пулей, передается небольшому участку стекла, и пуля только пробивает в нем круглое отверстие.
Направив оси по взаимно перпендикулярным векторам скоростей шаров, получаем составляющие векторов импульсов системы:
Px = m₁V₁ = 4*10 = 40 кг м в сек
Py = m₂V₂ = 2*15 = 30 кг м в сек
Модуль вектора полного импульса системы равен
P = √(Px² + Py²) = √(1600 + 900) = √2500 = 50 кг м в сек
Модуль вектора полного импульса системы равен 50 кг м в сек