1. t=10 R=200 U=50
Q=I²RT
I= U/R=50/200=0.25 A
Q=0.25*0.25*200*10=125 ДЖ
2. P=UI
I=P/U (подсчитай сама, мне пора бежать)
Мы только по физике прошли эту тему конечно это <u>второй ответ варианта 2.</u>
С - имеет меньшую температуру и меньший объём
D - имеет большую температуру и больший объём
давление одинаковое
Насы́щенный пар — это <u>пар</u>, находящийся в термадинимическом <u>равновесии</u> с <u>жидкостью</u> или <u>твёрдым телом</u> того же <u>состава </u>.<u>давление</u> насыщенного пара связано определённой для данного вещества зависимостью от <u>температуры</u>. Когда внешнее давление падает ниже давления насыщенного пара, происходит <u>кипение</u> (жидкости) или <u>возгонка</u> (твёрдого тела);
<span>
Ненасыщенный пар — пар, не достигший динамического равновесия со своей жидкостью. При данной температуре давление ненасыщенного пара всегда меньше давления насыщенного пара. При наличии над поверхностью жидкости ненасыщенного пара процесс парообразования преобладает над процессом конденсации, и потому жидкости в сосуде с течением времени становится все меньше и меньше. </span>
1) Полупроводниковые материалы<span> — вещества с чётко выраженными свойствами </span>полупроводников<span> в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 </span>К), являющиеся основой для созданияполупроводниковых приборов<span>. </span>Удельная электрическая проводимость σ<span> при 300 К составляет 10</span>-4−10~10<span> Ом</span>−1·см−1<span> и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
2) </span><span> В больших масштабах используют полупроводниковые материалы для изготовления «силовых» </span>полупроводниковых приборов<span>(вентили, тиристоры, мощные транзисторы)</span>