Хаотически рухом молекул!)
<span>Уменьшается поток рассеяния магнита, и тепловому движению не так легко нарушить ориентацию доменов.</span>
Пишем проекции сил на оси координат(x-параллельно плоскости, у- перпендикулярно плоскости):
х: 0=m*g*sina-u*N y: 0=N-m*g*cosa 0=m*g*sina-u*m*g*cosa
u=m*73g*sina/m*g*cosa=tga=tg60=1,73
Найдём сопротивл.провода R=ро*L/s=0.0175*0.1/1=0.175ом
Напряжение на проводе U=I*R=2*0,175=0.35в
Дано:
Полупроводник №1 (Ge) собственный:
Запрещенная зона – Wg =0,785эВ;
Подвижности μе(Ge) = 3900 см2·В-1·с-1;
μh(Ge) = 1900 см2·В-1·с-1;
Температура T = 300 K;
Полупроводник №2 (Si) примесный (n-типа):
Запрещенная зона – Wg =1,21эВ;
Подвижности μе(Ge) = 1200 см2·В-1·с-1;
μh(Ge) = 500 см2·В-1·с-1;
Температура T = 300 K;
σ(Ge) = σ(n-Si).